开鸿盛世表金属防割手套在多晶硅行业中的应用

开鸿盛世低表金属防割手套（凯夫拉芯5级防割、无缝针织、低表金属≤55ppbw、低硫低氯无硅、压纹防滑、防静电10⁶-10⁹Ω、耐多晶硅化学品/弱酸碱），可在多晶硅制造全流程中实现防割+防金属污染双重防护，保障硅料纯度、减少表面金属杂质、稳定产品电性能，具体应用如下：

一、多晶硅制备核心工序应用 1. 硅料破碎/分选（防割+控金属污染） - 工业硅破碎/氢化料处理：5级防割抵御硅块尖角/碎硅割伤，无缝针织防纤维脱落；低表金属防手套金属离子迁移至硅料，避免多晶硅中Fe/Cu/Ni超标，压纹掌面稳持破碎锤/夹具防打滑，适配千级洁净区操作。 - 硅料筛分/人工分选：防静电导走摩擦电荷，防硅粉吸附与二次污染；低硫低氯防硅料表面硫化/氯化，9寸袖口防粉尘侵入，适配不同粒度硅料分级操作，保障进料纯度。 2. 还原/氢化（防腐蚀+防微污染） - 还原炉装料/卸料：耐HCl/Cl₂等腐蚀性气体，低挥发物防三氯氢硅/四氯化硅工艺污染；防滑设计稳持石墨电极/硅芯夹具，防高温（≤120℃）操作时脱落，低表金属避免硅棒表面金属杂质沉积，提升多晶硅电阻率一致性。 - 氢化炉维护：擦拭炉壁/管道时，低纤维脱落防杂质进入氢化反应体系，耐SiHCl₃/SiCl₄，防管道残留化学品腐蚀手部，保障氢化转化率稳定。 3. 精馏/提纯（防泄漏+防离子污染） - 精馏塔填料更换/取样：防金属填料边缘割伤，低表金属防填料表面金属迁移至三氯氢硅；耐有机溶剂与高纯试剂，低离子析出防Na⁺/K⁺污染精馏体系，适配电子级多晶硅提纯（纯度≥99.9999999%）需求。 - 高纯试剂输送/阀门操作：防滑掌面精准控制阀门，防静电防试剂管道静电火花，低硫低氯防金属管路腐蚀，保障精馏纯度与生产安全。

硅棒处理与硅片加工应用 1. 硅棒切割/截断（防崩边+防表面污染） - 多晶硅棒截断/开方：5级防割抵御金刚石线/硅棒断面割伤，低表金属防手套与硅棒接触引入杂质，防静电防硅粉吸附影响切割面平整度，适配12寸硅棒截断操作，减少边缘崩边与表面划痕。 - 硅块清洗/去金属：耐HF/HNO₃混合酸，低硫低氯防硅块表面金属（Al/Fe）硫化/氯化，压纹掌面稳持硅块防滑落，无粉无硅防清洗液污染，保障硅块表面洁净度。 2. 硅片切割/研磨（防划伤+控微粒污染） - 硅片切割前备料：防切割刀具/硅片边缘割伤，低纤维脱落防硅片表面微粒残留；防静电防切割过程中静电吸附硅粉，适配多线切割工序，减少硅片隐裂与碎片率。 - 硅片研磨/倒角：防滑设计稳持硅片夹具，低表金属防研磨液中金属杂质增加，耐研磨膏与清洗液，防手部腐蚀，保障硅片TTV（总厚度偏差）与边缘质量。