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0512-57791813开鸿盛世耐磨防割手套(凯夫拉芯5级防割、无缝针织、低表金属≤55ppbw、低硫低氯无硅、压纹防滑、防静电10⁶-10⁹Ω、耐HF/HNO₃/IPA/弱酸碱、千级洁净),专为单晶硅(直拉CZ/区熔FZ)全流程的防割伤、防金属污染、防静电与耐化学品设计,适配硅料处理、拉晶、硅棒加工、硅片切割与检测包装,兼顾人员安全与硅料/硅片纯度,以下是应用细节与价值:
一、单晶硅制备核心工序应用 1. 硅料破碎/分选(防割伤+控金属污染) - 操作:工业硅/多晶硅破碎时,5级防割抵御硅块尖角与碎硅割伤,无缝针织低纤维脱落;人工分选时,低表金属防Fe/Cu/Ni迁移至硅料,压纹掌面稳持夹具防打滑,适配千级洁净区。 - 价值:低硫低氯避免硅料高温反应生成硫化物/氯化物,防静电导走摩擦电荷防硅粉吸附,保障进料纯度与拉晶稳定性。 2. 直拉/区熔拉晶(防泄漏+防电荷损伤) - 操作:装料/补料时,手套耐氩气氛围与中温(≤120℃),低挥发物防污染石英坩埚/石墨加热器;操作籽晶/坩埚夹具时,防静电避免电荷击穿硅晶体晶格,9寸袖口防硅粉侵入。 - 价值:低表金属防硅锭导电类型偏移,防静电保护单晶硅少子寿命,低离子残留保障硅锭电阻率均匀性,适配电子级单晶硅(纯度≥99.9999999%)要求。 3. 还原/氢化辅助(防腐蚀+防微污染) - 操作:还原炉/氢化炉维护时,用手套擦拭石墨电极/硅芯夹具,耐HCl/Cl₂等腐蚀性气体,低纤维脱落防杂质进入反应体系;阀门操作时压纹防滑防泄漏,防静电防管路静电火花。 - 价值:低硫低氯防硅棒表面金属沉积,耐化学品延长手套寿命,保障多晶硅原料纯度,提升单晶硅拉制良率。
硅棒加工与硅片切割应用 1. 硅棒截断/开方(防崩边+防表面污染) - 操作:金刚石线截断/开方时,5级防割抵御硅棒断面与切割碎屑割伤,低表金属防手套接触污染硅棒表面;轻拭断面时无缝针织不掉屑,防静电防硅粉吸附影响切割面平整度。 - 价值:防边缘崩边与表面划痕,低离子残留防硅棒金属杂质超标,适配12寸单晶硅棒加工,减少后续硅片隐裂风险。 2. 硅片切割/研磨(防划伤+控微粒污染) - 操作:多线切割备料时,手套稳持硅块/夹具防跌落,低纤维脱落防硅片表面微粒残留;切割后用手套配合HF/HNO₃混合酸擦拭硅片边缘,耐酸不溶胀不掉屑。 - 价值:防静电避免硅粉二次吸附,低表金属防硅片金属杂质(Al/Fe)超标,保障硅片TTV(总厚度偏差)与表面洁净度,提升电池片转换效率。
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